AUIRGDC0250
- Производитель: Infineon / IR
- Описание:Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V IGBT 81A Auto 1.37V at 33A Low VCE
- Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
- Технология Si
- Упаковка / блок TO-220-3
- Вид монтажа Through Hole
- Конфигурация -
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.2 kV
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.57 V
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 141 A
- Pd - рассеивание мощности 543 W
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура -
- Серия -
- Квалификация AEC-Q101
- Упаковка Tube
