IXYP8N90C3
- Производитель: IXYS
- Описание:Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) XPT 900V IGBT GenX3 XPT IGBT
Запрос:
Технические характеристики
- Технология Si
- Упаковка / блок TO-220-3
- Вид монтажа Through Hole
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 900 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.15 V
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер 30 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 20 A
- Pd - рассеивание мощности 125 W
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 175 C
- Серия IXYP8N90
- Квалификация -
- Упаковка Tube
