NGTB25N120FL3WG
- Производитель: ON Semiconductor
- Описание:Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 25A FS3 SOLAR/
Запрос:
Технические характеристики
- Технология Si
- Упаковка / блок TO247-3
- Вид монтажа Through Hole
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.2 kV
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.7 V
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 100 A
- Pd - рассеивание мощности 349 W
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 175 C
- Серия -
- Квалификация -
- Упаковка Tube
