NGTB15N60S1EG
- Производитель: ON Semiconductor
- Описание:Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 15A 600V IGBT
- Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
- Технология Si
- Упаковка / блок TO-220-3
- Вид монтажа Through Hole
- Конфигурация -
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.7 V
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 30 A
- Pd - рассеивание мощности 47 W
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура -
- Серия NGTB15N60S1
- Квалификация -
- Упаковка Tube