IXBH5N160G
- Производитель: IXYS
- Описание:Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 5 Amps 1600V
Запрос:
Технические характеристики
- Технология Si
- Упаковка / блок TO-247-3
- Вид монтажа Through Hole
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.6 kV
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 4.9 V
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 5.7 A
- Pd - рассеивание мощности 68 W
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия IXBH5N160
- Квалификация -
- Упаковка Tube
