STGB20M65DF2
- Производитель: STMicroelectronics
- Описание:Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss
Запрос:
Технические характеристики
- Технология Si
- Упаковка / блок D2PAK-3
- Вид монтажа SMD/SMT
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 650 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.55 V
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 40 A
- Pd - рассеивание мощности 166 W
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 175 C
- Серия STGB20M65DF2
- Квалификация -
- Упаковка -
