FGA50N100BNTD2
- Производитель: ON Semiconductor / Fairchild
- Описание:Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-ch / 50A 1000V
Запрос:
Технические характеристики
- Технология Si
- Упаковка / блок TO-3PN
- Вид монтажа Through Hole
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1000 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.5 V
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер 25 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 50 A
- Pd - рассеивание мощности 156 W
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия FGA50N100BNTD2
- Квалификация -
- Упаковка Tube
