STGWA50IH65DF
- Производитель: STMicroelectronics
- Описание:Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Запрос:
Технические характеристики
- Технология Si
- Упаковка / блок TO-247-3
- Вид монтажа Through Hole
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 650 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.5 V
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 100 A
- Pd - рассеивание мощности 300 W
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура -
- Серия STGWA50IH65DF
- Квалификация -
- Упаковка -
