IXA45IF1200HB
- Производитель: IXYS
- Описание:Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
Запрос:
Технические характеристики
- Технология Si
- Упаковка / блок TO-247-3
- Вид монтажа Through Hole
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.8 V
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 78 A
- Pd - рассеивание мощности 325 W
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия IXA45IF1200HB
- Квалификация -
- Упаковка Tube
