STGW60H65DRF
- Производитель: STMicroelectronics
- Описание:Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 60A 650V Field Stop Trench Gate IBGT
- Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
- Технология Si
- Упаковка / блок TO-247
- Вид монтажа SMD/SMT
- Конфигурация -
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 650 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.9 V
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 120 A
- Pd - рассеивание мощности 360 W
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура -
- Серия STGW60H65DRF
- Квалификация -
- Упаковка Tube
