NGTB05N60R2DT4G
- Производитель: ON Semiconductor
- Описание:Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) RC2 IGBT 5A 600V DPAK
- Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
- Технология Si
- Упаковка / блок DPAK-3
- Вид монтажа SMD/SMT
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.65 V
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 16 A
- Pd - рассеивание мощности 56 W
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура + 175 C
- Серия -
- Квалификация -
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
