FGB20N60SFD
- Производитель: ON Semiconductor / Fairchild
- Описание:Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A Field Stop
Запрос:
Технические характеристики
- Технология Si
- Упаковка / блок TO-263AB
- Вид монтажа Through Hole
- Конфигурация -
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.8 V
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 40 A
- Pd - рассеивание мощности 83 W
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура -
- Серия FGB20N60SFD
- Квалификация -
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
