IGB01N120H2
- Производитель: Infineon Technologies
- Описание:Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HIGH SPEED 2 TECH 1200V 1A
- Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
- Технология Si
- Упаковка / блок TO-263-3
- Вид монтажа SMD/SMT
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер -
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C -
- Pd - рассеивание мощности -
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия IGB01N120
- Квалификация -
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
