HGTD1N120BNS9A
- Производитель: ON Semiconductor / Fairchild
- Описание:Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 5.3a 1200v N-Ch IGBT NPT Series
Запрос:
Технические характеристики
- Технология Si
- Упаковка / блок TO-252AA-3
- Вид монтажа SMD/SMT
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.5 V
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 5.3 A
- Pd - рассеивание мощности 60 W
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия HGTD1N120BNS
- Квалификация -
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
