Технические характеристики
- Технология Si
- Упаковка / блок ISOPLUS-i4-3
- Вид монтажа Through Hole
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 3 kV
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.7 V
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 34 A
- Pd - рассеивание мощности 150 W
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия Very High Voltage
- Квалификация -
- Упаковка Tube
