IRGR3B60KD2TRRP
- Производитель: Infineon / IR
- Описание:Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT DISCRETES
- Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
- Технология Si
- Упаковка / блок TO-252AA-3
- Вид монтажа SMD/SMT
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.9 V
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 7.8 A
- Pd - рассеивание мощности 52 W
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия RC
- Квалификация -
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
