NGTB15N60R2FG
- Производитель: ON Semiconductor
- Описание:Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) RC2 IGBT 15A 600V
- Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
- Технология Si
- Упаковка / блок TO-220-3
- Вид монтажа Through Hole
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.85 V
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 24 A
- Pd - рассеивание мощности 54 W
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура + 175 C
- Серия -
- Квалификация -
- Упаковка Tube
