BSM75GAR120DN2
- Производитель: Infineon Technologies
- Описание:Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A GAR CH
Запрос:
Технические характеристики
- Технология Si
- Упаковка / блок IS4 (34 mm )-5
- Вид монтажа Chassis Mount
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.5 V
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 100 A
- Pd - рассеивание мощности 625 W
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия -
- Квалификация -
- Упаковка Tray
