AUIRGF65G40D0
- Производитель: Infineon / IR
- Описание:Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES
Запрос:
Технические характеристики
- Технология Si
- Упаковка / блок TO-247-3
- Вид монтажа Through Hole
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 3 V
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 62 A
- Pd - рассеивание мощности 625 W
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 175 C
- Серия -
- Квалификация AEC-Q101
- Упаковка Tube
