IKW30N65H5XKSA1
- Производитель: Infineon Technologies
- Описание:Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Infineon s new TRENCHSTOP 5 IGBT technology redefines Best-in-class IGBT by providing unmatched performance in terms of efficiency for hard switching applications. The new family is a major breakthroug
Запрос:
Технические характеристики
- Технология Si
- Упаковка / блок TO-247-3
- Вид монтажа Through Hole
- Конфигурация -
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. -
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер -
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер -
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C -
- Pd - рассеивание мощности -
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура -
- Серия TRENCHSTOP 5 H5
- Квалификация -
- Упаковка Tube
