IXA30PG1200DHGLB
- Производитель: IXYS
- Описание:Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) XPT IGBT Phaseleg
Запрос:
Технические характеристики
- Технология Si
- Упаковка / блок ISOPLUS-9
- Вид монтажа SMD/SMT
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.9 V
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 43 A
- Pd - рассеивание мощности 150 W
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия IXA30PG1200DHGLB
- Квалификация -
- Упаковка Tube
