STGB3NC120HDT4
- Производитель: STMicroelectronics
- Описание:Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 7A PowerMESH Ultrafast
Запрос:
Технические характеристики
- Технология Si
- Упаковка / блок D2PAK
- Вид монтажа SMD/SMT
- Конфигурация -
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.3 V
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 14 A
- Pd - рассеивание мощности 75 W
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура -
- Серия STGB3NC120HD
- Квалификация -
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
