RJH65T47DPQ-A0#T0
- Производитель: Renesas Electronics
- Описание:Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT - 650V/45A/TO-247A
Запрос:
Технические характеристики
- Технология Si
- Упаковка / блок TO-247A-3
- Вид монтажа Through Hole
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 650 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.8 V
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер 30 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 90 A
- Pd - рассеивание мощности 375 W
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 175 C
- Серия -
- Квалификация -
- Упаковка Tube
