VII130-06P1
- Производитель: IXYS
- Описание:Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 130 Amps 600V
Запрос:
Технические характеристики
- Технология -
- Продукт IGBT Silicon Modules
- Конфигурация Dual
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер -
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 121 A
- Ток утечки затвор-эмиттер -
- Pd - рассеивание мощности -
- Упаковка / блок ECO-PAC 2
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Квалификация -
- Упаковка Bulk
