FF225R12ME4PBPSA1
- Производитель: Infineon Technologies
- Описание:Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MEDIUM POWER ECONO
- Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
- Технология Si
- Продукт IGBT Silicon Modules
- Конфигурация Half Bridge
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.2 kV
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.85 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 450 A
- Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
- Pd - рассеивание мощности 20 mW
- Упаковка / блок Module
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Квалификация -
- Упаковка Tray
