198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

APTGT225A170G

APTGT225A170G
  • Производитель: Microchip / Microsemi
  • Описание:Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6072
Запрос:
Технические характеристики
  • Технология -
  • Продукт IGBT Silicon Modules
  • Конфигурация Dual
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.7 kV
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2 V
  • Непрерывный коллекторный ток при 25 C 340 A
  • Ток утечки затвор-эмиттер 600 nA
  • Pd - рассеивание мощности 1.25 kW
  • Упаковка / блок SP6
  • Минимальная рабочая температура - 40 C
  • Максимальная рабочая температура + 100 C
  • Квалификация -
  • Упаковка Tube