FD600R17KE3_B2
- Производитель: Infineon Technologies
- Описание:Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 950A
- Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
- Технология -
- Продукт IGBT Silicon Modules
- Конфигурация Single Dual Collector Dual Emitter
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1700 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер -
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 950 A
- Ток утечки затвор-эмиттер -
- Pd - рассеивание мощности -
- Упаковка / блок IHM130
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 125 C
- Квалификация -
- Упаковка Tray
