IXGX55N120A3H1
- Производитель: IXYS
- Описание:Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Low-Frequency Range Low Vcesat w/ Diode
Запрос:
Технические характеристики
- Технология -
- Продукт -
- Конфигурация -
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. -
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер -
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C -
- Ток утечки затвор-эмиттер -
- Pd - рассеивание мощности -
- Упаковка / блок TO-247-3
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура -
- Квалификация -
- Упаковка Tube