MID550-12A4
- Производитель: IXYS
- Описание:Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 550 Amps 1200V
Запрос:
Технические характеристики
- Технология -
- Продукт IGBT Silicon Modules
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.2 kV
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.3 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 670 A
- Ток утечки затвор-эмиттер 1.6 uA
- Pd - рассеивание мощности 2.75 kW
- Упаковка / блок Y3-DCB-10
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Квалификация -
- Упаковка Bulk
