IXGH48N60B3
- Производитель: IXYS
- Описание:Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 48 Amps 600V
Запрос:
Технические характеристики
- Технология -
- Продукт IGBT Silicon Modules
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. -
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 600 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C -
- Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA
- Pd - рассеивание мощности 300 W
- Упаковка / блок TO-247AD-3
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Квалификация -
- Упаковка Tube
