IXYN80N90C3H1
- Производитель: IXYS
- Описание:Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 900V 70A 2.7V XPT IGBTs GenX3 w/ Diode
Запрос:
Технические характеристики
- Технология -
- Продукт IGBT Silicon Modules
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 900 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.7 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 115 A
- Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA
- Pd - рассеивание мощности -
- Упаковка / блок SOT-227
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Квалификация -
- Упаковка Tube
