IXGR72N60A3H1
- Производитель: IXYS
- Описание:Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Low-Frequency Range Low Vcesat w/ Diode
Запрос:
Технические характеристики
- Технология -
- Продукт -
- Конфигурация -
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 600 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 75 A
- Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA
- Pd - рассеивание мощности 200 W
- Упаковка / блок ISOPLUS247-3
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Квалификация -
- Упаковка Tube
