IXA70I1200NA
- Производитель: IXYS
- Описание:Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) XPT Single IGBT
Запрос:
Технические характеристики
- Технология -
- Продукт IGBT Silicon Modules
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.8 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 100 A
- Ток утечки затвор-эмиттер 500 nA
- Pd - рассеивание мощности 350 W
- Упаковка / блок SOT-227B-4
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Квалификация -
- Упаковка Tube
