2PS18012E44G38553NOSA1
- Производитель: Infineon Technologies
- Описание:Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) STACKS IPM
- Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
- Технология -
- Продукт IGBT Silicon Modules
- Конфигурация -
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер -
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C -
- Ток утечки затвор-эмиттер -
- Pd - рассеивание мощности -
- Упаковка / блок -
- Минимальная рабочая температура - 25 C
- Максимальная рабочая температура + 60 C
- Квалификация -
- Упаковка Tray
