FS50R17KE3_B17
- Производитель: Infineon Technologies
- Описание:Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULE HALF BRG 50A 1700V
- Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
- Технология -
- Продукт IGBT Silicon Modules
- Конфигурация IGBT-Inverter
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.7 kV
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 82 A
- Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
- Pd - рассеивание мощности 345 W
- Упаковка / блок Module
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 125 C
- Квалификация -
- Упаковка Tray
