APTGLQ75H65T1G
- Производитель: Microchip / Microsemi
- Описание:Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC8103
Запрос:
Технические характеристики
- Технология -
- Продукт IGBT Silicon Modules
- Конфигурация Full Bridge
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 650 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.85 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 100 A
- Ток утечки затвор-эмиттер 200 nA
- Pd - рассеивание мощности 250 W
- Упаковка / блок SP1-12
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 100 C
- Квалификация -
- Упаковка Tube
