APTGLQ200A120T3AG
- Производитель: Microchip / Microsemi
- Описание:Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR HOLD CC3210
Запрос:
Технические характеристики
- Технология -
- Продукт IGBT Silicon Modules
- Конфигурация Dual
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.05 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 400 A
- Ток утечки затвор-эмиттер 480 nA
- Pd - рассеивание мощности 1250 W
- Упаковка / блок SP3F
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 125 C
- Квалификация -
- Упаковка Tube
