FS75R12KE3_B9
- Производитель: Infineon Technologies
- Описание:Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 75A 1200V
- Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
- Технология -
- Продукт IGBT Silicon Modules
- Конфигурация IGBT-Inverter
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.7 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 105 A
- Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA
- Pd - рассеивание мощности 355 W
- Упаковка / блок Module
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 125 C
- Квалификация -
- Упаковка Tray
