APTGLQ80HR120CT3G
- Производитель: Microchip / Microsemi
- Описание:Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3176
Запрос:
Технические характеристики
- Технология -
- Продукт IGBT Silicon Modules
- Конфигурация Dual Common Emitter
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.2 kV, 600 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.05 V, 1.5 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 150 A, 100 A
- Ток утечки затвор-эмиттер 240 nA, 600 nA
- Pd - рассеивание мощности 500 W, 250 W
- Упаковка / блок -
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 100 C
- Квалификация -
- Упаковка Tube
