198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

APTGT600U170D4G

APTGT600U170D4G
  • Производитель: Microchip / Microsemi
  • Описание:Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC7016
Запрос:
Технические характеристики
  • Технология -
  • Продукт IGBT Silicon Modules
  • Конфигурация Single
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.7 kV
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2 V
  • Непрерывный коллекторный ток при 25 C 1.1 kA
  • Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
  • Pd - рассеивание мощности 2.9 kW
  • Упаковка / блок D4-5
  • Минимальная рабочая температура - 40 C
  • Максимальная рабочая температура + 125 C
  • Квалификация -
  • Упаковка Bulk