VS-GT200TP065N
- Производитель: Vishay Semiconductors
- Описание:Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Output & SW Modules - IAP IGBT
Запрос:
Технические характеристики
- Технология -
- Продукт -
- Конфигурация Half Bridge
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 650 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.9 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 221 A
- Ток утечки затвор-эмиттер 600 nA
- Pd - рассеивание мощности 600 W
- Упаковка / блок INT-A-PAK
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 175 C
- Квалификация -
- Упаковка -
