APTGLQ200HR120G
- Производитель: Microchip / Microsemi
- Описание:Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6214
Запрос:
Технические характеристики
- Технология -
- Продукт IGBT Silicon Modules
- Конфигурация Dual Common Emitter
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.2 kV, 600 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.05 V, 1.5 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 300 A, 150 A
- Ток утечки затвор-эмиттер 480 nA, 400 nA
- Pd - рассеивание мощности 1 kW, 340 W
- Упаковка / блок SP6
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 100 C
- Квалификация -
- Упаковка Tube
