APTGT750U60D4G
- Производитель: Microchip / Microsemi
- Описание:Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC7093
Запрос:
Технические характеристики
- Технология -
- Продукт IGBT Silicon Modules
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.5 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 1 kA
- Ток утечки затвор-эмиттер 3.1 uA
- Pd - рассеивание мощности 2.3 kW
- Упаковка / блок D4-5
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 125 C
- Квалификация -
- Упаковка Bulk
