FS6R06VE3_B2
- Производитель: Infineon Technologies
- Описание:Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 11A
Запрос:
Технические характеристики
- Технология -
- Продукт IGBT Silicon Modules
- Конфигурация Hex
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 11 A
- Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
- Pd - рассеивание мощности 40.5 W
- Упаковка / блок EASY750
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Квалификация -
- Упаковка Tray
