FS75R12W2T4
- Производитель: Infineon Technologies
- Описание:Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 75A
Запрос:
Технические характеристики
- Технология -
- Продукт IGBT Silicon Modules
- Конфигурация -
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.15 V
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 107 A
- Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA
- Pd - рассеивание мощности 375 W
- Упаковка / блок -
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Квалификация -
- Упаковка Tray
