NCV1413BDR2G
- Производитель: ON Semiconductor
- Описание:Транзисторы Дарлингтона High Voltage High Current Darlington
- Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
- Конфигурация Array 7
- Полярность транзистора NPN
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) -
- Напряжение коллектор-база (VCBO) -
- Максимальный постоянный ток коллектора 0.5 A
- Максимальный ток отсечки коллектора -
- Pd - рассеивание мощности -
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок SOIC-16
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 125 C
- Серия NCV1413
- Квалификация AEC-Q101
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
