MJD122T4G
- Производитель: ON Semiconductor
- Описание:Транзисторы Дарлингтона 8A 100V Bipolar Power NPN
- Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
- Конфигурация Single
- Полярность транзистора NPN
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V
- Максимальный постоянный ток коллектора 8 A
- Максимальный ток отсечки коллектора 10 uA
- Pd - рассеивание мощности 20 W
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок TO-252-3 (DPAK)
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия MJD122
- Квалификация -
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
