BD679AS
- Производитель: ON Semiconductor / Fairchild
- Описание:Транзисторы Дарлингтона NPN Epitaxial Sil
- Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
- Конфигурация Single
- Полярность транзистора NPN
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 80 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) 80 V
- Максимальный постоянный ток коллектора 4 A
- Максимальный ток отсечки коллектора 200 uA
- Pd - рассеивание мощности 40 W
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок TO-126
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия BD679A
- Квалификация -
- Упаковка Bulk
