MJD122-1
- Производитель: STMicroelectronics
- Описание:Транзисторы Дарлингтона NPN PWR Darlington Int Anti Collector
- Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
- Конфигурация Single
- Полярность транзистора NPN
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V
- Максимальный постоянный ток коллектора 5 A
- Максимальный ток отсечки коллектора 10 uA
- Pd - рассеивание мощности 20 W
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок TO-252-2
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия MJD122
- Квалификация -
- Упаковка Tube
