198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

MJD122-1

MJD122-1
  • Производитель: STMicroelectronics
  • Описание:Транзисторы Дарлингтона NPN PWR Darlington Int Anti Collector
  • Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
  • Конфигурация Single
  • Полярность транзистора NPN
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V
  • Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
  • Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V
  • Максимальный постоянный ток коллектора 5 A
  • Максимальный ток отсечки коллектора 10 uA
  • Pd - рассеивание мощности 20 W
  • Вид монтажа Through Hole
  • Упаковка / блок TO-252-2
  • Минимальная рабочая температура -
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Серия MJD122
  • Квалификация -
  • Упаковка Tube