NJVNJD35N04T4G
- Производитель: ON Semiconductor
- Описание:Транзисторы Дарлингтона NPN DARLINGTON Pwr TRAN
- Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
- Конфигурация Single
- Полярность транзистора NPN
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 350 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
- Напряжение коллектор-база (VCBO) 700 V
- Максимальный постоянный ток коллектора -
- Максимальный ток отсечки коллектора 250 uA
- Pd - рассеивание мощности 45 W
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок DPAK
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия NJD35N04
- Квалификация AEC-Q101
- Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel
